除激光切割机中的LCVD技术之外，还有其他几种方法可用于薄膜沉积，如前述的常规CVD、分子束外延(MBE)、金属激光切割机一有机化学气相沉积(MOCVD)和等离子辅助沉积技术。常规激光切割CVD技术需加热整个基材，其间反应气体或蒸气流向基材表面，发生化学反应而沉积薄膜。该过程非常缓慢（薄膜生长速率为100~1000A/min）.而且因只有被加热的表面用于薄膜沉积，激光切割机中CVD能源利用率很低。
另外，CVD激光切割技术过程的沉积温度可高达1500K，这影响半导体掺杂物的扩散系数继而影响半导体薄膜的质量。此外，激光切割CVD腔体中可能存在的污染物或晶片材料也可向高温下生长的薄膜中扩散。由于沉积复合半导体薄膜的不同供体的挥发物质不同，其激光切割机在高温下薄膜沉积中将蒸发的量亦不同，因而会影响薄膜的性能。常规激光切割CVD方法在高温下对晶片产生的物理损伤也会引起器件缺陷。另外，激光切割机长时高温暴露几乎对所有基材材料都是有害的。例如，用于航空航天的钛合金由于晶粒长大，性能会大为下降。激光切割机用于汽车工业的铁合金也会因晶粒长大和晶界扩散而产生性能降低。
MBE技术是激光切割技术中利用供体分子束或混同原子束撞击被加热的某单晶的表面而使薄膜外延生长，化学反应只发生在基材表面.MBE激光切割机技术主要用于制作半导体和半导体器件.MBE激光切割技术可以精确控制外延薄膜的生长和成分。但是，该过程非常慢，薄膜生长速率仅为100~200A/min等：其他材料薄膜：Bi203.Ca0、CaC03、Cu0、Sr0、SrC03、聚合物、TiB2、硅氧烷薄膜等。
